描述：日本taimei大明化学氧化铝粉光学电子陶瓷用日本大明化学 TAIMEI TM-DAR 为高纯度 α 相氧化铝微粉，具备优秀低温致密烧结特性。粉体一次粒径细小，颗粒分布均匀，痕量杂质控制严格，放射性元素 U、Th 含量极低。低温区间即可实现高致密度烧结，烧结坯气孔少，透光性良好。粉体分散性佳，适合干压、流延、等静压成型工艺。多用于透明光学陶瓷、电子陶瓷基板、半导体治具、激光晶体原料，是实验室研发

日本taimei大明化学氧化铝粉光学电子陶瓷用日本taimei大明化学氧化铝粉光学电子陶瓷用

日本大明化学 TAIMEI TM-DAR 为高纯度 α 相氧化铝微粉，具备优秀低温致密烧结特性。粉体一次粒径细小，颗粒分布均匀，痕量杂质控制严格，放射性元素 U、Th 含量极低。低温区间即可实现高致密度烧结，烧结坯气孔少，透光性良好。粉体分散性佳，适合干压、流延、等静压成型工艺。多用于透明光学陶瓷、电子陶瓷基板、半导体治具、激光晶体原料，是实验室研发与陶瓷小批量试制的主流粉体原料。

核心参数表

表格

产品详情

产品细节图粉体外观为白色超细粉末，颗粒细腻，团聚程度低。采用碳酸铝铵前驱工艺合成，粉体微观形貌均匀。包装采用铝箔真空袋封装，隔绝水汽，防止粉体受潮结块。粉体取样后可直接用于浆料制备、干法压坯等陶瓷成型试验。在电镜下观察，一次晶粒尺寸一致性好，烧结后陶瓷内部晶粒均匀，减少光散射，适配透明陶瓷制备。同系列可对比 TM-DA、TM-UF 等其他牌号粉体。

产品性能低温烧结活性优异，1200-1250℃温度区间即可实现致密化，降低高温烧结能耗，减少晶粒异常长大。粉体纯度高，微量金属杂质控制严格，U/Th 放射性杂质含量低，可规避半导体元器件软失效问题。烧结制品致密度高，力学性能优良，抗弯强度高、耐磨，同时具备良好透光能力。粉体适配多种成型工艺，干法压制成型、注浆、流延、热等静压 HIP 工艺均可使用。浆料制备时分散性好，便于制备高固含量陶瓷浆料。

用材粉体主体为高纯 α 氧化铝，由特殊前驱法合成，不添加烧结助剂也能实现低温致密烧结。产品包装内层为铝箔真空袋，阻隔空气和湿气；外袋采用加厚复合袋，防止运输破损。

型号TM-DAR 为主牌号，同系列配套可选 TM-DA、TM-UF、TM-5D，不同牌号在比表面积、杂质等级、烧结活性上存在区分，满足不同陶瓷开发需求。

用途光学陶瓷领域：透明氧化铝陶瓷、光学窗口、YAG 激光晶体、红宝石原料；电子陶瓷领域：LED 散热基板、IC 基板、半导体加工治具、传感器陶瓷基材；精密结构陶瓷：耐磨轴承、陶瓷喷嘴、切削零件；生物材料：牙科陶瓷原料；其他：催化剂载体、陶瓷填料、合成尖晶石原料，广泛用于高校、研究所、陶瓷企业配方研发与小试。

包装标准包装为铝箔真空袋密封，隔绝水汽，防止粉体受潮团聚。每袋附带产品出厂检测报告，标注纯度、粒径、BET 等实测数据。外箱采用加固纸箱，内部做好缓冲防护。大批量订货可采用吨袋包装。存储要求阴凉干燥环境，开封后尽快使用。

使用说明粉体开封尽量在低湿度环境操作，避免吸水影响烧结性能。根据成型工艺添加分散剂、粘结剂制备浆料或干粉料，根据配方设置成型压力与烧结曲线。烧结过程控制升温速率，防止坯体开裂。粉体属于超细粉末，操作时佩戴防尘防护用具。储存环境避免高温高湿，密封存放，不可长时间暴露在空气中。避免粉尘大量吸入。