描述：ProSys MegPie V3 兆声波换能器清洗组件ProSys MegPie V3 半导体兆声波换能器，专为单片晶圆清洗开发，可输出径向均匀声场，能够剥离低至 19nm 级别的微小颗粒，低损伤工艺特性适配 FEOL、BEOL、CMP 后清洗、掩膜板清洗，是半导体单片清洗设备主流配套核心组件。

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厂商性质：代理商
更新时间：2026-10-28
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产品介绍/ PRODUCT PRESENTATION

ProSys MegPie V3 兆声波换能器清洗组件ProSys MegPie V3 兆声波换能器清洗组件

ProSys MegPie V3 半导体兆声波换能器，专为单片晶圆清洗开发，可输出径向均匀声场，能够剥离低至 19nm 级别的微小颗粒，低损伤工艺特性适配 FEOL、BEOL、CMP 后清洗、掩膜板清洗，是半导体单片清洗设备主流配套核心组件。产品介绍产品细节图：实拍三角形换能器本体、信号线接口；换能器安装在清洗腔内部的装配效果图；配套驱动电源；声场分布示意图，直观展示全晶圆能量均匀性。产品性能：MegPie V3 采用利兆声波结构设计，专门匹配旋转单片晶圆清洗工艺，工作时形成径向均匀分布的声场，整片晶圆表面声能一致性优秀，不会出现局部能量过高或者能量不足的情况。颗粒去除效率优秀，PRE≥98%，可以稳定剥离晶圆表面纳米级污染物、抛光残留、有机杂质，同时控制对精细光刻结构、高深宽比结构的冲击，降低图案损伤风险，满足先进制程的清洗要求。设备支持脉冲工作模式，能够有效削弱驻波干涉带来的能量尖峰，进一步降低结构损伤概率，适配 SC1、SC2 湿法清洗、预键合清洗、光刻胶去除等多种半导体湿法工艺。标准化安装结构，方便设备厂商集成到各类单片清洗机台，拆装维护简单，更换周期可控，减少产线停机时间。适配半导体主流清洗药液，耐酸碱腐蚀，在高温药液环境下依然可以稳定工作。配套专用驱动电源之后，可以精准调节功率、脉冲周期，匹配不同晶圆尺寸、不同污染类型的清洗方案，兼顾清洗能力和良率。设备出厂前经过声场测试，附带检测报告，每一支换能器的输出性能都经过校验，保证上机之后工艺一致性。在掩膜板清洗、MEMS 器件清洗等对损伤管控严格的场景，这款换能器应用广泛，是先进制程湿法清洗的核心部件。用材：主体由耐化学腐蚀压电陶瓷与特种密封基材组成，适配半导体标准清洗药液；信号线采用 PTFE 耐腐护套，抗药液侵蚀，绝缘稳定。参数表

项目	参数
型号	MegPie™ V3
类型	兆声波换能器
适用基板	单晶圆
可去除颗粒	低至 19nm
特点	径向均匀声场、脉冲模式、低图案损伤
典型工艺	CMP 后清洗、掩膜清洗、前道后道湿法清洗

型号：MegPie™ V3用途：半导体硅片、掩膜板、MEMS 器件湿法精密清洗，声化学处理、微粒剥离工艺。包装：独立防震包装，含换能本体、信号线、出厂声场测试报告。使用说明：安装于清洗腔上方，对准旋转晶圆；配套对应规格兆声波驱动电源；调试药液流量、晶圆转速、输出功率匹配工艺；定期检查密封结构与线缆，避免药液渗入损坏传感单元。售后服务：工艺方案支持、备件供应、故障排查、上机调试指导。

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