描述：日本SUNYOU 小型台式局部等离子蚀刻设备
TP-50B 是日本 SUNYOU 三友制作所推出的台式定点等离子刻蚀设备，采用原厂独特的斑点等离子与抽吸式排气技术，可实现微米级局部定点蚀刻加工，无需整机真空腔体，大幅缩减设备占地面积与配套投入。设备搭载低功率 RF 射频发生单元，使用过程无需电波法规备案手续，操作流程简易。

核心参数

1. 加工光斑：最小 φ0.5mm 微区定点加工，配套多规格可替换等离子喷嘴

2. 射频功率：整机 RF 输出控制在 50W 以内，低能量加工降低半导体样品损伤

3. 蚀刻速率：稳定匀速加工，适合绝缘膜、硅层均匀去除

4. 排气结构：喷嘴一体化同步抽吸设计，加工残渣实时导出，减少腔体污染

5. 样品承载：可平移移动样品台，支持大面积、多规格芯片、晶圆试样加工

6. 气路配置：机身前置多组气压调节表盘，适配多种蚀刻工艺气体通入

7. 合规要求：低功率射频设计，无需向监管部门提交设备安装许可申请

8. 放置工况：标准台式机身，常规实验室常温无尘环境可长期连续运行

日本SUNYOU 小型台式局部等离子蚀刻设备

适用场景

1. 半导体芯片失效分析实验室

   IC、LSI 芯片故障解析前处理，定点蚀刻剥离表层绝缘膜，露出内部金属线路，适配日本原厂半导体失效分析成套检测设备。

2. 硅晶圆、MEMS 微结构精细加工

   硅片沟槽刻蚀、深度平坦化处理，低损伤等离子工艺保护底层微结构，可搭配德国进口晶圆表征观测设备使用。

3. 微电子产线光刻胶局部剥离

   器件局部区域光刻胶定点去除，无需整片浸泡湿法腐蚀，规避液体对微型器件的侵蚀，适配美国半导体研发产线管控标准。

4. 高校微电子、材料科研实验室

   半导体新工艺、高分子表面亲水改性实验，小型台式机身适配实验台有限空间，满足多国高校教学科研实验规范。

5. 光电、传感器器件表面预处理

   光学传感元件等离子活化清洗，提升薄膜镀层结合力，改善器件封装粘接效果。

6. 第三方半导体检测机构来料分析

   各类芯片、封装器件批量故障试样预处理，标准化刻蚀流程统一解析条件，保障检测数据一致性。

7. 新材料表面改性工艺研发

   高分子、陶瓷材料等离子亲水、活化处理，对比不同工艺气体下材料表面特性变化。

使用优势

1. 微区定点局部加工，只蚀刻目标点位

   斑点等离子技术，仅喷嘴覆盖区域发生蚀刻，无需整片晶圆浸泡或全域等离子处理，完好保护器件其余结构，适配微小芯片、封装样品解析。

2. 抽吸式一体排气，加工残渣少、维护简单

   等离子喷嘴同步抽吸废气与反应残渣，不会堆积在腔体内部，延长整机清洁维护周期，对比传统真空等离子设备大幅减少拆机清理频次。

3. 50W 以内低功率射频，样品低损伤加工

   低能量等离子作用，不会产生高温、强离子冲击破坏半导体内部精密线路，适合超薄绝缘膜、微小 MEMS 结构精细去除。

4. 台式紧凑型机身，实验室摆放灵活

   一体化集成射频、气路、加工腔体、抽吸单元，无需外接大型真空机组，普通实验台面即可放置，老旧实验室改造无需扩容场地。

5. 无需电波许可备案，设备导入门槛低

   整机射频输出功率合规，采购安装后不用办理无线电设备申报手续，企业、院校可快速完成设备投产使用。

6. 可移动样品台，兼顾小点与大面积加工

   样品工作台支持前后左右平移，单点精细解析、整片晶圆大范围连续蚀刻均可实现，一台设备覆盖多种试样尺寸需求。

7. 通用标准气体接口，兼容多国工艺气源

   机身气路快插接头规格通用，日本、德国、美国主流半导体蚀刻工艺气瓶、管路配件可直接对接，无需额外转接工装。

8. 操作流程简易，新人快速上手使用

   前置气压调节表盘 + 可视化加工观察窗，蚀刻时长、气体流量直观可控，无需专业等离子工艺操作人员值守，批量试样处理效率更高。