描述：日本CANON ANELVA 晶体离子复合真空计
本产品是佳能旗下 ANELVA 安内华推出 M-336MX 晶体离子复合真空计，融合晶体振荡传感与离子规双重检测原理，单支规管可实现全量程区间检测，省去多支真空规分段搭配使用的繁琐结构。设备自带两路独立压力阈值报警接点，瞬时压力变化可快速捕捉，圆筒小巧机身适配真空腔体标准法兰接口，广泛用于半导体刻蚀、薄膜蒸镀、光伏真空工艺、高校超高真空科研实验。

基础核心参数

1. 检测原理：晶体振荡传感 + 离子规复合式宽量程测量

2. 完整压力量程：4×10⁻⁸ Pa ～ 1×10⁵ Pa（大气压）

3. 精度指标

• 1×10⁻⁶～1×10⁰ Pa：±15%FS

• 5×10¹～1×10⁵ Pa：±20%FS

• 全量程重复性：±5% FS

4. 响应速度：0.1s 快速响应，捕捉瞬时真空波动

5. 供电规格：DC20～28V 直流供电，整机功耗 12W

6. 型号区分

• M-336MX-SP：0～10V 模拟电压输出，两路压力设定报警接点

• M-336MX-RS：RS485 数字通讯输出，两路压力设定报警接点

7. 法兰接口：标准 NW16、NW25、CF34 多种真空法兰可选

8. 机身尺寸重量：Φ25×80mm 圆筒型，整机自重 0.9kg

9. 使用环境温度：5℃～50℃；存储温度 - 20℃～70℃

10. 接线配置：D-Sub9 针标准接口，最大线缆传输距离 300m

11. 内置功能：机身一键零点校准、双路独立压力阈值继电器输出

12. 适配工况：半导体真空设备、光学蒸镀机、科研超高真空腔体、光伏镀膜设备

日本CANON ANELVA 晶体离子复合真空计

核心功能特点

1. 晶体离子复合一体化结构，单支规覆盖超高真空至大气压，无需多规分段组合，减少腔体开孔与布线成本

2. SP/RS 双型号通讯方案，模拟款适配传统工控仪表，数字 RS485 款对接自动化上位机集中采集

3. 两路独立压力阈值接点，可分别设定高真空下限、漏气高压报警，真空异常联动设备停机保护腔体

4. 0.1s 极速响应特性，精准捕捉腔体充气、微漏、阀门切换产生的瞬时压力突变，避免工艺报废

5. 内置全域温度补偿算法，设备升温、车间四季温差下零点与灵敏度无大幅漂移，长期复测稳定

6. 强电磁抗干扰机身屏蔽结构，半导体射频、中频溅射设备周边无信号跳变失真

7. 小型圆筒紧凑机身，标准真空法兰直装腔体，狭小真空腔、设备侧置法兰均可适配安装

8. 机身一键零点校准，现场无需拆解腔体即可完成零点修正，简化设备定期校验流程

9. 长距离稳定传输，标配屏蔽信号线最远 300m 布线无衰减，中控机房远程采集不受距离限制

10. 出厂全量程真空标准标定，同型号规管测量基准统一，真空工艺数据满足半导体行业验收规范

适用场景

1. 半导体晶圆制造刻蚀、沉积腔体，全程监控超高真空工艺压力，稳定薄膜沉积均匀性

2. 光学镜片、玻璃基板真空蒸镀设备，管控镀膜腔体真空度，提升膜层附着力与透光性能

3. 光伏电池片镀膜产线，真空腔体压力 24 小时在线监测，保障光电转换效率一致性

4. 科研院所超高真空实验平台，表面物理、材料真空改性实验精准压力采集

5. 真空热处理、金属烧结设备，全程监测升温、冷却阶段腔体真空变化

6. 第三方真空设备检测机构，依据半导体行业标准出具腔体真空运行检测记录

7. 高校真空物理实验室，宽量程真空测量教学、真空检漏配套标准规管设备

8. 氦检检漏系统配套监测，判定腔体本底真空、识别微小泄漏点位