描述：日本技研nasgiken 硅晶圆整体腐蚀处理装置
批量晶圆整体蚀刻系统，采用气相蚀刻工艺完成整片晶圆的表面处理，处理过程不会在工件表面形成液滴，可规避污染物在晶圆表面发生转移扩散。整机为洁净室自立式设备，依靠内置控制系统完成整套蚀刻流程，操作逻辑简洁，除整片整体蚀刻之外，还可配合映射采集实现局部区域的评估分析，多用于半导体行业硅基材料的污染物回收与试样前处理工作。

核心参数

• 型号：BEM‑310

• 适配晶圆规格：兼容主流大尺寸硅晶圆

• 控制单元：内置电脑整机控制，工艺参数可编辑存储

• 蚀刻性能：蚀刻后表面平整度表现稳定

• 作业形式：单片依次处理，人工完成晶圆上下料

• 废气处理：配套酸废气、一般废气排放接口

• 所需公用条件：供电、纯水、氮气、氧气等配套气源

• 机身结构：落地封闭式洁净室机型

• 整机外形尺寸：1000×1300×2000mm

• 整机重量：约 150kg

• 标配配件：BEM‑310 主机、工艺气路组件、废气接驳管路、操作说明书

• 选配配件：晶圆专用承载治具、废气处理配套单元、溯源校准证书

日本技研nasgiken 硅晶圆整体腐蚀处理装置

核心功能特点

1. 气相蚀刻方式，区别于湿式药液浸泡，工件表面不会产生液滴，避免污染物跨区域转移，保障回收检测结果可靠。

2. 整机专为洁净室环境设计，封闭式腔体构造，减少外界杂质对晶圆带来的二次污染。

3. 整片晶圆整体蚀刻处理，同时支持映射采集，兼顾全片处理与局部区域评估的试验需求。

4. 电脑集中管控整套蚀刻工艺，工艺条件可保存调用，不同批次之间处理一致性好。

5. 蚀刻后晶圆表面平整度优良，适合后续开展微量金属污染回收与成分分析前处理。

6. 单片式作业模式，适合实验室小批量试样处理，设备启停灵活，无需长时间待机预热。

7. 设备结构稳固，适配半导体洁净车间工况，长期运行稳定性良好。

适用场景

1. 半导体行业，硅晶圆内部及表面微量金属污染物回收前处理。

2. 晶圆材料研发，硅基试样整体气相蚀刻工艺试验。

3. 半导体材料实验室，各类硅片试样腐蚀处理作业。

4. 芯片制造企业，来料晶圆品质分析前处理工序。

5. 第三方半导体检测机构，晶圆污染评估相关试样制备。

6. 高校科研院所，半导体材料、硅材料相关课题实验。

7. 半导体工艺开发，验证蚀刻条件对晶圆表面状态带来的影响。

8. 需要气相无液滴方式完成整片硅晶圆体蚀刻的各类试验项目。