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描述：日本纳普森napson 无损伤方阻检测仪。区别 RG/RT 系列四探针接触式设备，依靠电磁涡流感应原理完成检测，全程探头不触碰晶圆表层，不会划伤外延层、镀膜与抛光面，搭配电脑程控载台自动走位扫描，生成整片晶圆阻值分布云图，主打实验室研发、来料抽检、扩散 / 镀膜工艺均匀度验证。

产品型号：NC-80MAP
厂商性质：代理商
更新时间：2026-06-03
访问量：38

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产品介绍/ PRODUCT PRESENTATION

日本纳普森napson 无损伤方阻检测仪

1、测量原理

采用高频涡流感应技术，探头隔空在样品表面产生交变涡流，通过拾取涡流反馈信号换算方块电阻与体电阻率，无需接触、不用压片、不破坏表层导电层，即便绝缘基底上的超薄导电薄膜也可精准测量，规避四探针扎片造成的晶圆报废损耗。

2、适配晶圆规格

标准机型原生适配2、3、4、5、6、8 英寸圆形晶圆，设备原厂支持选配升级 12 寸大尺寸载台；被测样品厚度常规＜1mm，覆盖单多晶硅片、硅外延片、离子注入片、碳化硅、氮化镓、砷化镓外延片、光伏扩散硅片、ITO / 金属镀膜玻璃、石墨烯导电基材等。

3、量程与探头配置

整机可换装四款原厂分体探头，覆盖全区间阻值：超低阻探头：0.005~0.01Ω/□；低阻：0.01~0.5Ω/□；中阻：0.5~10Ω/□；标准高阻：10~3000Ω/□；选配超高阻探头可拓展量程至 10kΩ/□、100kΩ/□，体电阻率测量范围 0.001~200Ω・cm，标配探头直径 14mm，可定制 5mm 小口径细探头，支持从晶圆边缘 8mm 位置开始点位测试，贴近边沿检测无盲区。

4、扫描与软件系统

设备由 PC 端专用测控软件全程控制，自定义行列点位排布，单次整片最高可设置 999 个测试点位，载台伺服步进自动移动逐点采集数据；测量结束自动生成二维等值分布图、三维立体云图，自带 SPC 数据分析，自动汇总最大值、最小值、平均值、极差与标准差，数据可直接导出存档用于工艺追溯。

日本纳普森napson 无损伤方阻检测仪

5、核心产品特点

1. 全程非接触无损测量，杜绝探针压痕、划伤、破片，适配超薄外延片与精密镀膜产品抽检。

2. 边沿测量能力优异，从晶圆边缘 8mm 即可采集数据，减少边缘无效盲区，完整反映整片均匀性。

3. 多规格探头灵活替换，一套设备兼顾低阻扩散片、中阻硅片、高阻外延片、绝缘基底导电薄膜多品类物料。

4. 半自动程控载台，人工放片后一键启动自动扫描，单人即可完成大批量晶圆 Mapping 检测。

5. 可拓展选配晶圆厚度检测探头，同步完成方阻 + 厚度双参数采集；加装 EFEM 机械手可升级全自动上下料量产机型。

6. 测量精度稳定，低阻段精度可达 0.1%，常规中高阻区间精度控制在 0.2%~1%，满足半导体来料管控标准。

6、适用场景行业

半导体：硅外延、SiC/GaN/GaAs 化合物衬底、离子注入晶圆、抛光片扩散层均匀度抽检；

光伏：PERC/TOPCON/HJT 硅片扩散工艺检测、电池片方块电阻分筛；

新材料：ITO 导电玻璃、石墨烯、金属纳米镀膜、DLC 薄膜、柔性导电基材电性检测。

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2、适配晶圆规格

3、量程与探头配置

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