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日本engis 大口径半导体晶圆双面研磨抛光机

描述:日本engis 大口径半导体晶圆双面研磨抛光机
EJD-910I-ALD 是日本 ENGIS 面向大口径半导体晶圆量产推出的三工位双面研磨抛光设备,适配碳化硅、硅、蓝宝石、氮化镓等各类半导体衬底平面精加工需求。设备搭载独立辊臂式三工位载片结构,搭配水冷恒温主轴系统,可维持研磨盘面温度稳定;整机采用全封闭防尘防护仓,阻隔外部粉尘进入加工区域,配套多级柔性加压控制模式,降低薄片晶圆加工过程出现的碎裂。

  • 产品型号:EJD-910I-ALD
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2026-06-22
  • 访问量:166
产品介绍/ PRODUCT PRESENTATION

日本engis 大口径半导体晶圆双面研磨抛光机

核心参数

  1. 研磨定盘规格:910mm 大尺寸合金研磨盘,适配多尺寸大口径晶圆同步加工

  2. 工位结构:标准 3 组辊臂式载片工位,可同步装载多片衬底开展双面研磨

  3. 主轴温控:整机标配水冷循环主轴单元,运行过程持续带走主轴热量,稳定盘面温度区间

  4. 加压系统:多段气缸分级加压模式,支持低速缓降上盘控制,适配超薄脆性晶圆加工

  5. 操控系统:工业触控 PLC 操作面板,可存储多组定制工艺曲线,转速、压力、时长参数独立可调

  6. 防护结构:整机全封闭钣金防护仓,双层钢化可视观察门,阻隔车间粉尘侵入加工腔体

  7. 供电规格:三相 AC200V 工业供电,适配半导体洁净厂房标准配电环境

  8. 拓展选配:可加装晶圆实时厚度检测单元、研磨盘面自动修盘机构、自动化上下料对接模块

日本engis 大口径半导体晶圆双面研磨抛光机

适用场景

  1. 第三代半导体 SiC/GaN 晶圆量产

    碳化硅功率器件衬底、氮化镓外延片双面研磨,完成晶圆减薄与镜面抛光,满足新能源、车载芯片衬底平面度指标。

  2. 硅基半导体集成电路加工

    大尺寸硅片双面平整研磨,改善晶圆翘曲度,适配芯片封装前基底平面精加工工序。

  3. LED 光学蓝宝石衬底加工

    蓝宝石发光基底镜面抛光,控制衬底表面粗糙度,提升芯片发光效率与良率。

  4. 光通讯石英、光学玻璃元件

    光学镜片、光纤阀片、平面窗口片高精度平面研磨,保障透光与平行度性能。

  5. 新材料实验室工艺开发

    各类化合物半导体小批量试产,可快速切换研磨压力、转速工艺,对比不同加工方案成品效果。

  6. 精密液压 / 密封金属零部件

    不锈钢阀片、密封垫片双面平面研磨,满足机械零部件密封平面精度要求。

使用优势

  1. 三工位辊臂载片设计,提升单批次加工产能

    三组独立辊式载片臂同步运行,单次加工可容纳多片晶圆,同等占地面积下单次处理衬底数量更多,匹配大批量连续量产节拍。

  2. 水冷恒温主轴,弱化温度对平面精度的影响

    主轴内部集成水循环冷却结构,研磨作业持续带走主轴运转产生的热量,盘面温度波动幅度收窄,晶圆整面均匀度表现更稳定。

  3. 分段柔性加压 + 低速缓降,减少薄片晶圆损耗

    支持多阶梯压力分段调节,上盘采用伺服控制缓慢下降贴合工件,针对脆性超薄衬底可降低挤压冲击,减少加工阶段碎片损耗。

  4. 全封闭防尘加工仓,适配半导体洁净车间

    整机一体化封闭外壳搭配可视钢化门,隔绝车间粉尘、漂浮杂质落入研磨区域,避免杂质划伤晶圆镜面,符合半导体无尘厂房管控标准。

  5. 丰富选配拓展模块,适配多阶段生产需求

    可根据产线阶段加装厚度实时检测、盘面自动修盘机构,研发线可侧重工艺调试,量产线可加装自动化上下料实现全线联动。

  6. 大容量工艺程序存储,多品种混线切换便捷

    触控系统内部可存储数十套独立加工工艺,更换不同材质、尺寸晶圆时直接调取预设程序,无需重复手动设置参数,缩短换型调试时长。

  7. 高刚性一体机架,长期量产形变幅度小

    设备底座采用厚板一体焊接成型结构,机身刚性充足,长期不间断量产工况下,研磨盘同轴度、平行度可维持稳定区间,减少定期校准频次。

  8. 多类型研磨介质兼容,一机覆盖多制程

    设备可搭配金刚石固定磨具、游离研磨浆料、CMP 抛光液开展加工,粗磨、精磨、镜面抛光多道工序均可在本机完成,减少产线设备投入数量。


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