描述：日本hisol 等离子刻蚀清洗处理设备
该低压等离子处理设备，面向半导体相关制程开发，依靠等离子体化学刻蚀作用，完成试样表层有机物质的去除作业。可完成光刻胶剥离以及各类工艺残留有机残渣的剥离清理，提供多种等离子处理模式，适配不同强度的处理需求。腔体内部处理均匀，可批量放置试样，整机搭载触控操作界面，能够保存多套工艺配方，方便不同样品快速切换工艺，可替代部分湿法化学处理工序。

核心参数

1. 设备型号：G1000

2. 腔体内部尺寸：450×450×300mm

3. 整机外形尺寸：600×710×1130mm

4. 整机重量：159kg

5. 射频电源频率：40kHz

6. 射频输出功率：0‑1000W

7. 工艺气体路数：3 路，支持扩展增加气路

8. 可存储工艺配方：12 组

9. 工艺时间设置区间：0‑1200s，1 秒步进调节

10. 工作温度区间：20‑100℃

11. 腔体材质：铝合金

12. 处理模式：5 种等离子模式可选

13. 供电规格：单相 200‑250V，50‑60Hz

14. 工作环境：18‑28℃，湿度 20‑70% RH 无冷凝

15. 标配配件：等离子主机、真空腔体、试样承载托盘、操作说明书

16. 选配配件：质量流量控制器、第四路气体模块、配套真空泵组

日本hisol 等离子刻蚀清洗处理设备

核心功能特点

1. 多档位等离子处理模式，可根据试样情况选择温和或者强刻蚀模式，兼顾剥离效率与基材保护。

2. 平行板式腔体结构，等离子在腔体内分布均匀，批量试样处理效果一致性好。

3. 配方存储功能，多套工艺参数可直接调取，换样调试简单，减少重复设置操作。

4. 低压等离子工艺，以气体反应实现有机层剥离，可减少化学药液使用，降低废液处理压力。

5. 支持多种工艺气体接入，根据有机污染物类型灵活搭配气体，适配光刻胶、各类有机残渣剥离需求。

6. 低频射频电源，工件产生热应力更小，热敏试样也可开展处理，降低高温带来的试样损伤风险。

7. 大腔体空间，可同时放置多盘试样，满足小批量试样处理需求。

8. 触控面板完成全部参数设置，操作直观，便于实验室以及产线工艺人员使用。

适用场景

1. 半导体研发车间，光刻胶去除、有机工艺残渣剥离处理。

2. 微电子制造企业，芯片基板、引线框架表面等离子清洗改性。

3. 新材料研发工位，各类基材表面有机层刻蚀、表面亲水化改性。

4. 第三方检测机构，试样前处理等离子工艺加工业务。

5. 封装工艺工位，键合前工件表面清洁，提升键合结合强度。

6. 高校微电子、材料相关专业，试样等离子刻蚀清洗课题实验。

7. 各类精密器件制程，去除加工过程产生的有机污染杂质。

8. 需要对试样开展有机物刻蚀、光刻胶以及有机残渣剥离的工业及科研项目。