描述：日本堀场horiba 等离子体发射光谱监测仪
日本 HORIBA 堀场 EV‑140C 蚀刻终点在线监测光谱仪，面向半导体干法刻蚀工艺开发的等离子体发射光谱实时监测设备。设备通过采集刻蚀腔体内等离子体特征发射光谱，实时追踪特定元素谱线强度变化，以此精准判定刻蚀终点，避免过刻或欠刻造成的产品不良。整机采用多通道光学检测架构，可同时监测多条特征波长，配套专用分析软件，支持光谱曲线实时显示。

日本堀场horiba 等离子体发射光谱监测仪

核心参数

• 产品型号：EV‑140C

• 测量原理：等离子体发射光谱法（OES）

• 检测对象：刻蚀腔体内等离子体特征发射光谱

• 核心功能：刻蚀终点实时判定、制程光谱监控

• 通道配置：多通道光学检测，可同时监测多条特征波长

• 光谱范围：覆盖紫外至可见光波段

• 采样方式：光纤耦合接入刻蚀机观察窗

• 软件功能：实时光谱显示、终点算法判定、数据记录导出

• 输出接口：支持对接刻蚀机控制系统，输出终点触发信号

• 配套设备：工控电脑、专用分析软件

• 供电：AC 交流供电

• 工作环境：洁净室、实验室室内环境

日本堀场horiba 等离子体发射光谱监测仪

功能特点

1. 非侵入式在线监测，通过光纤从腔体观察窗采集光谱，无需改动刻蚀机内部结构，不影响原有制程运行。

2. 多通道同步检测，可同时监控多条元素特征谱线，适配多种材料体系刻蚀工艺，提升终点判定可靠性。

3. 专用终点判定算法，可基于谱线强度变化斜率、比值等多种逻辑自动识别刻蚀终点，输出触发信号控制刻蚀机停机。

4. 配套软件界面直观，实时显示光谱曲线与强度变化趋势，工艺人员可直观观察制程动态过程。

5. 全程数据自动记录，每批次刻蚀光谱数据可存档追溯，方便工艺复盘与异常排查。

6. 设备体积小巧，可灵活部署于刻蚀机旁，适配不同品牌刻蚀设备配套加装。

7. 支持多种终点判定模式，可针对不同材料、不同工艺设置专属判定参数，满足多样化工艺开发需求。

8. 既可用于产线制程在线监控，也适合科研实验室等离子体机理研究、新工艺开发验证。

适用场景

1. 半导体逻辑芯片产线，栅极刻蚀、接触孔刻蚀、金属互连刻蚀等关键制程终点在线监控。

2. 存储器件制造，3D NAND 高深孔刻蚀、DRAM 电容刻蚀等复杂结构刻蚀终点判定。

3. MEMS 器件生产，硅深刻蚀、介质层刻蚀等工艺实时监测，保障刻蚀深度一致性。

4. 功率半导体制造，碳化硅、氮化镓器件刻蚀工艺开发与制程管控。

5. 先进封装工艺，硅通孔、重布线层刻蚀终点检测。

6. 高校与科研院所，等离子体物理、刻蚀机理相关课题研究，采集等离子体发射光谱数据。

7. 半导体设备厂商，刻蚀机出厂配套调试，验证设备工艺稳定性。

8. 新材料、新工艺研发，新型薄膜材料刻蚀工艺窗口探索与终点判定方法开发。