描述：日本岩通iwatsu 功率器件静态参数分析仪。打造的模块化大功率半导体曲线图示仪，覆盖小信号微电流到千安级大电流、数百伏至 5kV 高压全量程静态 IV 测量，兼顾实验室器件研发、晶圆探针台测试、封装器件来料检测全工序。
整机采用分体模块化架构，高压源、大电流源、微电流测量单元可按需选配，后期可扩容升级，无需更换整机。

日本岩通iwatsu 功率器件静态参数分析仪

1、核心硬件规格

1. 电压量程：0.2V～5kV 直流 / 脉冲输出，适配高压 SiC 功率管阻断电压 Vdss 测试

2. 电流量程：最大 2000A 脉冲大电流，精准测量导通电阻 Rds (on)、饱和压降；最小电流分辨率 250fA，低噪三轴线缆抑制设备本底漏电流，稳定测试栅极漏电流 Igss、器件关断漏电流 Idss

3. 门极驱动：栅极输出电压 ±40V，自定义时序脉冲波形、保持时长 0~5s，可前置预偏置信号，消除 SiC/GaN 器件电荷陷阱干扰，精准测出真实阈值电压 Vth

4. 显示交互：12.1 英寸 1280×800 触控液晶屏幕，X/Y 轴自由自定义电压、电流参数，同步绘制输出特性、转移特性、反向击穿、电容 CV 等曲线；线性 / 对数刻度一键切换，多条曲线叠加对比

2、模块化灵活拓展设计

• 高压单元：200V/1kV/2kV/5kV 多款高压源模块，适配不同耐压等级功率器件

• 大电流单元：2A~2000A 梯度电流模块，小信号芯片、大功率 IGBT 均可覆盖

• 微电流测量单元：搭配三轴屏蔽线缆，实现 fA 级微弱漏电稳定采集

  整机支持后期新增功率模块升级，原有主机、软件、夹具全部兼容，设备生命周期更长，适配企业器件迭代研发需求。

3、针对宽禁带半导体专属测量功能

（1）迟滞特性双扫功能

（2）自定义门极波形发生器

（3）完整静态参数自动测算

4、人机操作与数据管理

1. 双操作模式：屏幕触控操作 + 机身实体旋钮、功能快捷键，新手快速上手，批量测试调节参数效率更高；

2. 曲线与数据存储：本地保存测量曲线、测试参数，支持截图导出、外接打印机输出检测报告；多组样品数据自动统计最大值、最小值、平均值；

3. 远程自动化控制：标配 LAN 以太网接口，配套 PC 上位机软件，电脑远程设置测试条件、启动测量、批量导出数据表格，适配产线自动检测、晶圆探针台联动无人值守测试；

4. 可视化测试回路设置：屏幕图形化展示器件接线回路，MOS、IGBT、二极管等器件测试模式一键切换，避免接线错误。

日本岩通iwatsu 功率器件静态参数分析仪

5、丰富配套测试系统选件

1. 高低温测试台：搭配温控平台实现 - 55℃~180℃宽温扫描，检测高低温环境下器件参数漂移，验证车载、户外设备器件稳定性；

2. 晶圆探针台适配：支持大功率晶圆片在片测试，无需切割封装，研发阶段快速筛选晶圆工艺良率；

3. 各类封装专用夹具：TO-247、TOLL、TOLG、TO-263、贴片封装、裸芯片夹具全覆盖，快速更换样品；

4. 三轴低噪测量线缆：配套原厂屏蔽线缆，降低微弱电流测量噪声，保障 fA 级漏电数据稳定。

6、适用器件与行业场景

测试元器件

应用行业

7、产品核心优势汇总

1. 全量程覆盖：250fA 微漏电～2000A 大电流、0.2V~5kV 高压，一台仪器兼顾芯片、大功率器件测量；

2. 三代半导体专属算法：门极预偏置、迟滞双扫功能，解决 SiC/GaN 阈值漂移测量难题；

3. 模块化可升级：按需选配功率单元，后期扩容不用更换主机，长期使用成本更低；

4. 超高测量精度：三轴屏蔽降噪，fA 级电流稳定采集，高压阻断、导通电阻数据重复性优异；

5. 自动化适配能力强：LAN 远程控制，对接探针台、高低温台搭建全自动产线测试方案；