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2026-06-10
产品介绍/ PRODUCT PRESENTATION日本esco 红外加热热脱附谱仪
真空系统：主分析腔体极限真空优于 5×10⁻⁷Pa，配置负载锁腔换样机构
加热方式：红外石英光源定向加热，仅加热样品
温度区间：50‑1200℃，短时峰值可达 1300℃
升温速率：1‑180℃/min 连续可调，可设置恒温保温段
样品尺寸：最大 15mm×15mm×4mm 薄片试样
质谱检测器：内置四极杆质谱 QMS，质荷比扫描 m/z 1‑200
检测灵敏度：氩气检测灵敏度 1×10¹¹Ar/s（信噪比 S/N=3）
可测组分：氢气、水汽、氧气、氮气、二氧化碳等微量脱附气体
样品台：可更换石英、SiC 材质样品台，适配不同实验工况
软件系统：配套测量采集软件、数据查看解析软件，支持 CSV 导出
配套需求：红外反射镜需外接冷却水循环单元
整机形式：一体化落地机柜，搭配触控操作屏，外接电脑工作站
适用试样：硅晶圆、各类功能薄膜、薄片基板、半导体相关试样
红外定向加热方案，只对样品进行加热，腔体不产生高温，大幅降低腔体自身放气，保障高温条件下微弱脱附信号的检出能力。
负载锁腔结构，样品送入锁腔预抽真空，再转移至高真空分析腔，更换样品无需破坏主腔体超高真空，缩短实验准备时间，同时避免大气水汽污染腔体，压低测试本底。
四极杆质谱实时采集脱附气体，可同时监测多种质荷比信号，不仅可以得到气体含量，还可结合升温曲线解析气体结合能、扩散动力学信息。
升温程序灵活，升温速率大范围可调，支持升温‑恒温保温复合工艺，模拟退火等实际工艺条件开展模拟实验。
可快速切换不同材质样品台，石英透光台、SiC 烧结台按需更换，适配不同材质、不同温度的试样分析需求。
整机具备烘烤除气功能，可对腔体做烘烤处理，降低腔体残留吸附气体，保障长期微量气体检测稳定性。
专门面向薄片、薄膜类试样开发，针对半导体行业高频检测的氢、水汽杂质拥有优异检出下限，适配科研与工艺评价双重需求。
半导体行业，硅晶圆、氮化硅等薄膜材料，测试薄膜内部氢、水汽等杂质脱附行为，评估制程品质。
新材料研发实验室，各类功能薄膜、基板试样，分析界面、材料本体的逸出气体组分与含量。
面板光电材料研究，薄膜绝缘层、钝化层，解析水汽、气体杂质对器件性能带来的影响。
工艺模拟实验，模拟退火升温曲线，研究不同热历程下材料气体释放规律。
材料表面科学研究，分析表面吸附物种、化学键合状态，获取脱附动力学相关实验数据。
第三方检测机构，针对薄片类样品开展超高真空热脱附测试，完成微量气体定性定量分析。
材料失效分析，解析器件失效是否来源于材料内部释放的微量气体杂质。
需要在超高真空环境下，对薄片、薄膜样品开展程序升温热脱附质谱分析的各类科研及质检工况。
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