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2026-06-11
产品介绍/ PRODUCT PRESENTATION日本shuwaind 半导体晶圆单面研磨机
设备型号：SW‑08
研磨盘外径：400mm
研磨盘转速：最高 300rpm
上轴转速：30‑230rpm
上轴摆动行程：0‑20mm
加工加压载荷：0‑20kg
主电机功率：1.5kW
上轴驱动电机功率：40W
摆动机构电机功率：60W
工件固定方式：真空吸盘吸附
整机外形尺寸：1180×800×1300mm
整机重量：500kg
冷却结构：循环液冷却回路
供电规格：三相工业电源，50‑60Hz
工作环境：5‑35℃，湿度 20‑80% RH 无冷凝
标配配件：研磨主机、真空吸盘组件、冷却管路、操作说明书
选配配件：多规格研磨盘、多孔卡盘组件、压力监控模块
研磨盘最高 300rpm 高速运转，相比传统设备缩短加工时长，提升试样处理效率。
上轴摆动加强制旋转复合运动，消除加工方向性，工件整体平面一致性好。
气缸加压机构，压力连续可调，可完成粗磨、精磨不同工序，适配多种材料加工需求。
真空吸盘直接吸附工件，不需要载板，减少辅件带来的厚度误差，也可更换多孔卡盘。
上轴平行调节机构，可修正吸盘平面，便于维持研磨圆周方向平面度。
自带冷却循环回路，带走研磨产生热量，避免工件受热变形，保障加工精度。
定盘校正机构，可快速完成研磨盘平面校正，降低设备维护调试难度。
整机落地式重型机身，运行震动小，适合半导体、陶瓷等对平面度要求严苛的试样加工。
半导体研发实验室，硅、碳化硅等晶圆试样单面研磨抛光。
陶瓷材料加工工位，陶瓷薄片平面研磨、减薄处理。
光学试样制备，硬质光学基材平面精密加工。
第三方检测机构，各类硬质试样研磨前处理。
新材料研发部门，薄片类试样平面工艺摸索。
零部件试制工位，小型硬质零件单面平面加工。
高校材料、半导体相关专业，课题试样研磨制备。
需要对硬质薄片、晶圆类样品开展单面高速研磨加工的工业及科研项目。
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