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Brooks Instrument 去离子水蒸气输送设备

描述:Brooks Instrument 去离子水蒸气输送设备
本设备为美国 Brooks Instrument 布鲁克斯 VDM300 一体化超高纯去离子水蒸气输送模块,专为半导体前道先进制程打造,采用钛合金钝化汽化腔体实现非过热低温汽化,避免高温水汽强腐蚀损伤管路与晶圆,搭载成熟热式质量流量闭环测控技术,蒸汽输出精度远超传统闪蒸设备,适配金属剥离、后段等离子蚀刻、钝化薄膜制备等核心工艺。

  • 产品型号:VDM300
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2026-07-17
  • 访问量:90
产品介绍/ PRODUCT PRESENTATION

Brooks Instrument 去离子水蒸气输送设备

基础核心参数

  1. 工作原理:厂区 DI 纯水送入钛钝化低温汽化腔,非过热状态生成饱和水蒸气,热式质量传感实时检测蒸汽质量流量,闭环阀控稳定输出设定流量,低温介质降低管路腐蚀与晶圆损伤风险

  2. 完整型号:VDM300 标准 3000sccm 蒸汽量程;同系列小流量 VDM100

  3. 满量程蒸汽流量:3000 sccm(水蒸气标准工况)

  4. 调节比(量程比):20:1 宽动态调节

  5. 流量精度:>10% FS ±1.0% 设定值;5~10% FS ±0.2% 满量程

  6. 重复性:<±0.2% FS,长时间制程流量无漂移

  7. 阶跃响应时间:≤2 秒(达到设定值 ±2% 以内)

  8. 介质耐受:18.2MΩ・cm 超高纯 DI 去离子水,钛钝化腔体无金属离子析出

  9. 运行温控:腔体最高工作温度 45℃,全程非过热汽化

  10. 出口工况:最大允许出口背压 200 Torr,适配低压等离子腔体

  11. 通讯协议

    • 标配:0~5V 模拟、4~20mA 模拟、RS485

    • 选配:EtherCAT 工业高速总线

    • 调试端口:Micro USB 独立诊断口,对接 BEST 软件

  12. 供电规格:24VDC 直流工业供电,低功耗恒温加热设计

  13. 材质配置:接液腔体钝化钛、密封件 PTFE、内置超纯水前置过滤芯

  14. 使用环境:无尘车间 18~26℃,湿度 20~70% RH 无凝露,Class100/1 洁净区通用

  15. 适配半导体工艺

    • 金属剥离制程:去除刻蚀残留聚合物,提升晶圆良率

    • 后段等离子蚀刻:钝化层、氧化层均匀刻蚀调控

    • 低压腔体高纯加湿:薄膜沉积均匀性改善

    • 先进封装等离子清洗:微通道杂质剥离

  16. 标配组件:VDM300 蒸汽输送主机、原厂 DI 水前置过滤滤芯、24V 直流供电线缆、模拟信号接线端子、出厂蒸汽流量溯源标准 MFC、半导体工艺双语运维说明书、钛腔体专用无尘冲洗清洁耗材

Brooks Instrument 去离子水蒸气输送设备

核心功能特点

  1. 钛钝化低温非过热汽化核心,区别于传统高温闪蒸设备,大幅降低水汽腐蚀性,减少管路金属析出污染晶圆,适配先进制程超高纯度要求。

  2. MFC 级热式流量闭环测控,20:1 超宽调节比,高低流量切换稳定性优异,批量晶圆制程工艺一致性高,减少批次良率波动。

  3. 兼容多类型工业通讯,EtherCAT 高速总线适配全自动 Fab 产线,模拟信号兼容老旧设备改造,一条产线新旧机台通用无需更换控制架构。

  4. 自带供水压力缓冲补偿,厂区 DI 水压波动不影响蒸汽输出流量,无需额外加装稳压罐,简化流体管路布局。

  5. 一体化冲刷排水优化结构,工艺结束可自动排空腔体残留纯水,杜绝静置滋生杂质,维持腔体长期高纯洁净状态。

  6. 独立 Micro USB 诊断端口,搭配 Brooks BEST 软件实现远程校准、故障诊断、参数备份,产线无需停机拆机调试。

  7. 机柜嵌入式紧凑机身,标准设备机架尺寸,刻蚀机、剥离机侧边狭小集成工位可直接安装,不占用核心工艺腔体空间。

  8. 模块化分体损耗件,过滤滤芯、PTFE 密封垫圈、汽化芯体单独拆装更换,前开门检修无需整机断电拆卸,维保停机时长大幅缩短。

  9. 完整 Fab 工艺运维台账配套归档,蒸汽流量区间、腔体温度、晶圆批次时序统一记录,长期管控蒸汽流量偏移、腔体污染、密封渗漏芯片生产隐患。

  10. 腔体内壁积垢、流量零点漂移易排查,配套无尘冲洗耗材清洁腔体、标准溯源 MFC 核查即可恢复标准输送精度,年度计量标定频次低。

适用场景

  1. 12 寸 / 8 寸晶圆金属剥离产线:等离子腔体通入高纯水蒸气分解光刻胶残留聚合物,稳定提升晶圆表面洁净度。

  2. 后段薄膜蚀刻工艺车间:氧化层、氮化层精准刻蚀,通过蒸汽流量调控刻蚀速率与均匀性。

  3. 低压薄膜沉积工位:腔体微量加湿改善膜层致密性、减少针孔缺陷。

  4. 先进封装等离子清洗设备:芯片微通道、焊盘杂质剥离,避免封装分层不良。

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