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日本Shinkuu 贵金属导电薄膜磁控离子溅射仪

描述：日本Shinkuu 贵金属导电薄膜磁控离子溅射仪
本设备为日本 Shinkuu 真空设备株式会社 MSP-20MT 实验室级全自动磁控离子溅射仪，搭载 φ100mm 四英寸大尺寸磁控靶，针对大尺寸试样、晶圆、块状材料表面改性、电镜样品导电镀膜开发，适配各类无机、高分子、复合材料表层薄膜沉积处理。

  • 产品型号：MSP-20MT
  • 厂商性质：代理商
  • 更新时间：2026-07-20
  • 访问量：42
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产品介绍/ PRODUCT PRESENTATION

日本Shinkuu 贵金属导电薄膜磁控离子溅射仪

基础核心参数

  1. 工作原理：磁场约束氩离子轰击贵金属靶材，靶材原子均匀沉积在样品表层形成超薄连续导电薄膜；腔体内置压力、电流采集模块，完整存储整套溅射工艺时序数据，用于材料表面改性、电镜样品前处理工艺整理复盘。

  2. 同系列型号区分

    • MSP-20MT 标准款：标配 φ100mm 磁控靶，大尺寸平板、4 英寸晶圆批量试样专用

    • MSP-20UM 旋转倾斜款：小型试样三维均匀镀膜，搭配旋转样品台，不具备大靶材承载能力

    • MSP-20TK 钨靶专用款：超高倍率电镜观测，钨膜沉积，不适用于大面积样品改性

  3. 供电规格：单相 AC100V 15A，接地三芯供电

  4. 整机尺寸重量：宽 354× 深 400× 高 352mm，整机 20kg

  5. 真空机组：50L/min 旋片式机械泵，独立旁路双排气切换结构

  6. 溅射腔体：内径 φ149mm 硬质玻璃腔体，腔高 82mm

  7. 样品承载：标准 φ100mm 样品台，最大放置试样 φ130mm，厚度≤30mm

  8. 靶材规格：φ100mm，厚度 0.1mm，兼容金、铂、金银合金、铂钯合金、银靶

  9. 工艺气体：高纯氩气，针阀精密调节进气流量

  10. 安全配置：腔体开盖互锁、真空不足禁止起辉、过流过载声光报警

  11. 运行模式：全自动一键镀膜、手动分段调节两种模式

  12. 使用环境：10~35℃低粉尘实验室，湿度 40%~70% 无凝露，材料表征、表面改性研发工况

日本Shinkuu 贵金属导电薄膜磁控离子溅射仪

核心功能特点

  1. φ100mm 四英寸大磁控靶材，单次可处理大面积平板、4 英寸晶圆、多片批量试样，镀膜效率更高

  2. 全自动一体化溅射流程，无需分步手动操作，新手可快速完成标准化镀膜工艺，减少人为操作偏差

  3. 双回路旁路排气设计，可分步抽除腔体杂质气体，稳定氩气工作压力，薄膜均匀度稳定可控

  4. 低电压低温溅射体系，样品温升幅度小，高分子、生物、热敏材料不会发生热形变、热分解

  5. 透明硬质玻璃腔体，全程可视化观测溅射状态，可实时判断薄膜沉积均匀程度，及时调整工艺

  6. 多品类贵金属靶材通用更换，低倍率、超高倍率电镜观测可匹配对应靶材，适配多种表征需求

  7. 针阀精密氩气进气调节，精准控制腔体内离子浓度，可调控薄膜厚度与颗粒尺寸，适配不同表面改性需求

  8. 全回路安全联锁机制，腔体未闭合、真空未达标时无法启动溅射，规避误操作造成设备损耗

  9. 整套工艺参数本地存储，可直接调取复用成熟镀膜程序，实验重复性好，便于材料改性对比研究

  10. 分体式真空管路设计，泵体与腔体独立布置，腔体拆装清洁便捷，避免不同试样薄膜交叉污染

适用场景

  1. 材料科研实验室：陶瓷、金属、高分子、复合材料表面导电薄膜制备，用于 SEM、FIB、EDS 表征前处理

  2. 半导体试样领域：4 英寸晶圆、芯片切片表层导电层沉积，晶圆样品表面改性预处理

  3. 新材料表面改性研究：粉体、块状试样表层金属薄膜包覆，优化材料导电、抗氧化表面性能

  4. 微纳加工实验室：微结构、多孔试样超薄贵金属薄膜沉积，改善电子信号采集效果

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