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产品介绍/ PRODUCT PRESENTATION德国sonosys 晶圆兆声波湿法清洗喷嘴
型号：13792‑005/51
工作频率：1MHz
有效清洗光斑：φ4mm 聚焦作用区域
接液端面：高纯石英材质，无金属析出污染风险
适配介质：DIW、APM 等半导体高纯清洗药液
工作距离：5‑20mm，喷头与基板非接触作业
流体接口：1/8 英寸 NPT 流体接口
驱动配套：匹配 SONOSYS 对应兆声波发生器
安装方式：腔体内部固定，适配设备摆臂集成
本体重量：约 600g
使用工况：湿法工艺腔内部，洁净环境使用
标配配件：13792‑005/51 喷头本体、操作说明书
选配配件：高频驱动发生器、FFKM 密封套件、流体接头、信号线缆、溯源校准证书
高纯石英工作面，与药液接触部位无金属暴露，不会析出金属离子污染晶圆，满足半导体高洁净工艺对离子污染管控要求。
定点聚焦式兆声输出，能量集中在狭小光斑范围，喷头配合摆臂扫描即可覆盖整片晶圆，不用整槽浸泡，适配单片旋转清洗流程。
非接触清洗机制，喷头不触碰晶片表面，规避接触式毛刷清洗带来的划伤风险，适合超薄晶圆、MEMS 微结构、光刻掩膜这类易损伤基板。
可兼容多种半导体清洗药液，不局限单纯超纯水，APM 等标准清洗药水均可流通使用，不用额外改造喷头本体。
体积紧凑轻量化，可直接安装在清洗机摆臂上，适配设备狭小腔体空间，设备集成改造难度低。
石英端面属于可更换易损件，长期使用出现磨损、结垢后仅更换石英部件，无需整体更换喷头，降低后期运维成本。
配合发生器可调节输出功率，针对不同基板结构灵活匹配能量，在颗粒去除效率与结构损伤之间做工艺权衡。
无槽体式清洗方案，减少药液消耗量，对比传统槽式兆声清洗，化学品消耗更低，适配现代单片清洗工艺发展方向。
半导体单片湿法清洗，硅晶圆 CMP 后颗粒残留物去除。
MEMS、微结构器件，工艺后纳米颗粒、有机残渣清洗。
光刻掩模版，掩膜基板定点污染物清洗。
化合物半导体基板，薄衬底低损伤清洗工序。
设备集成厂商，单片清洗设备内部兆声清洗模块配套。
研发实验室，清洗工艺条件摸索，评估不同药液清洗效果。
面板行业，微小基板、光学元件精密清洗。
需要腔体内定点兆声清洗，基板不能浸泡槽体的湿法工艺项目。
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