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匈牙利SEMILAB 全自动汞探针 晶圆测试系统

描述:匈牙利SEMILAB 全自动汞探针 晶圆测试系统
MCV-2200 是 SEMILAB 推出全自动汞探针 C-V 电学计量设备,依托液态汞临时栅极结构,无需晶圆金属化工艺,即可完成无图形外延片、衬底材料电学特性无损表征,广泛用于硅基与宽禁带化合物半导体前道制程管控。

  • 产品型号:MCV-2200
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2026-07-01
  • 访问量:71
产品介绍/ PRODUCT PRESENTATION

匈牙利SEMILAB 全自动汞探针 晶圆测试系统

基础规格参数

型号:MCV-2200
测量原理:汞探针电容 - 电压(Mercury C-V)无损检测
适配晶圆尺寸:100mm / 150mm / 200mm
载具兼容:开放式料盒、SMIF 载具、FOUP 密封料盒
拓展测量模块:多频 CV 模块、IV 电流电压应力模块、汞蒸汽监测模块
探针毛细管规格:标配 1.7mm,可选 0.5/0.7/1.0/4.0mm 多种口径
晶圆识别:正反面光学 ID 读取,适配透明 SiC/GaN 晶片
工业通讯:SECS/GEM 标准工厂通讯接口
操作软件:SAM 系列专用半导体计量分析软件
洁净适配:ISO1 无尘车间适配整机结构
操作界面:工业触控人机交互面板
供电规格:AC100~240V 宽电压单相市电

匈牙利SEMILAB 全自动汞探针 晶圆测试系统

适用检测场景

  1. 硅基外延片量产线片内均匀度常态化监测

    硅外延生产车间批量晶圆 Mapping 扫描,管控整片掺杂浓度、外延层厚度波动,稳定外延生长工艺参数。

  2. SiC/GaN 宽禁带半导体衬底与外延材料研发测试

    第三代半导体实验室透明晶片无损电学表征,评估宽禁带材料载流子分布、氧化介质层品质。

  3. MOS 工艺栅介质薄膜特性与可靠性评估

    前道氧化、沉积工艺配套检测,通过 CV/IV 应力测试分析栅介质界面态、耐压耐久性能,优化薄膜沉积流程。

  4. 半导体新材料工艺研发小样快速电学筛查

    新工艺试制无图形晶圆无需金属化预处理,上机即可完成全套电学测试,缩短新材料配方调试周期。

  5. 第三方半导体材料检测机构公证计量核验

    整套检测逻辑契合国际半导体计量行业规范,完整留存整片 Mapping 图谱数据,用于晶圆来料贸易、产线资质年审审核。

  6. 功率器件、射频器件衬底来料入库品质验收

    功率、射频芯片衬底进厂抽样全域扫描,筛选片内电学差异超标的批次,规避后道器件成品不良。

  7. 半导体外延设备工艺匹配调试配套计量设备

    外延炉工艺参数调整前后晶圆对比测试,直观反映生长温度、气源配比改变对外延层电学性能的影响。

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