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日本纳普森NAPSON 二探针扩散电阻测试仪

描述：日本纳普森NAPSON 二探针扩散电阻测试仪
整机集成精密探针位移平台与同轴金相显微镜，可精准定位毫米级微小芯片区域；搭配可控温测试夹台，覆盖常温至高温试样检测；配套专用上位机软件，采集扩散电阻数据后自动换算电阻率，输出深度方向完整分布曲线，同步读取外延层厚度、PN 结深度、载流子浓度关键参数。

  • 产品型号：SRS-2010
  • 厂商性质：代理商
  • 更新时间：2026-07-03
  • 访问量：47
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产品介绍/ PRODUCT PRESENTATION

日本纳普森NAPSON 二探针扩散电阻测试仪

基础核心参数

  1. 扩散电阻测量量程：1～10⁹ Ω

  2. 激励施加电压：10 mV

  3. 检测电流区间：10 pA～10 mA

  4. N 型硅载流子浓度测试范围：2×10¹³～5×10¹⁹ cm⁻³

  5. P 型硅载流子浓度测试范围：2×10¹⁴～7×10¹⁹ cm⁻³

  6. 温控夹台工作区间：室温～600℃

  7. 探针耐高温规格：支持 600℃高温测试工况

  8. 最小可分析区域：数百微米微图案

  9. 试样适配基材：硅、多晶硅、SiC 半导体基材

日本纳普森NAPSON 二探针扩散电阻测试仪

核心功能特点

  1. 二探针单点微区接触测量

  2. 金相显微镜同步观测定位样品

  3. 高温可控温探针测试夹台

  4. 自动换算电阻率标准校准曲线

  5. 深度方向电阻分布自动测绘

  6. 同步测算外延层厚度与 PN 结深度

  7. 自动输出载流子浓度分层数据

  8. 微小芯片图案区域精准探测

适用场景

  1. 半导体硅晶圆外延层结构深度电学性能分析

  2. 离子注入样品掺杂浓度分层分布检测

  3. SiC 宽禁带半导体芯片微区电阻研发测试

  4. 太阳能硅片基材载流子浓度品质评估

  5. 芯片制程倾斜抛光试样工艺失效分析

  6. 半导体材料实验室新品配方对比试验

  7. 功率器件 PN 结深度、掺杂均匀度质检

  8. 高校微电子专业半导体电学特性教学实训

  9. 使用优势

    1. 二探针微区探测架构，常规四探针仅可检测表层，无法解析晶圆深层掺杂结构；

    2. 同轴显微同步观测，无显微镜简易设备难以精准对准数百微米微小芯片图案；

    3. 600℃高温兼容测试台，常温型设备无法模拟高温半导体工艺检测工况；

    4. 软件自动换算电阻率，手动换算设备数据处理繁琐，批量样品检测效率低；

    5. 一次性同步获取多层参数，单一电阻检测设备需分多次测试才能得到厚度、浓度数据；

    6. 全宽阻区测量区间，窄量程电阻仪高低掺杂样品无法完整覆盖；

    7. 专用半导体分析软件，通用采集软件无法自动生成深度分布图谱；

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