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产品介绍/ PRODUCT PRESENTATION日本LINTEC 双流体喷嘴高效汽化器
工作原理：载气与液态前驱体经由双流体喷嘴充分雾化，雾滴在温控汽化室内受热气化，形成均匀气相输送至工艺腔体；设备存储温度设定、载气流量、运行时序完整数据，导出报表用于薄膜沉积工艺复盘。
最高加热温度：200℃
最大水气化量：1.0 g/min
最大 TEOS 气化量：10 g/min
载气适用流量：0.05～4 SLM
核心结构：内置近距离液体电磁阀、双流体雾化喷嘴、分段温控汽化腔体
适配物料：TEOS、水汽、各类低蒸气压有机金属、Low-k/High-k 薄膜前驱液体
安装形式：壁挂式紧凑型立式机身
密封材质：适配工艺可选耐蚀密封组件
使用环境：5～35℃，湿度≤85% RH 无凝露，半导体洁净制程车间、薄膜研发实验室
双流体雾化设计，液体充分细碎雾化，气化效率高，大幅减少未气化液滴输送至工艺腔体的风险。
控制阀就近布置在汽化室前端，减少液态原料高温管路滞留时间，降低物料热分解概率。
腔体分段独立温控，针对热敏前驱物料灵活设置温度区间，适配多种化学原料稳定气化。
体积紧凑壁挂布局，节省洁净车间占地，方便集成进现有薄膜沉积设备管路系统。
可与 LINTEC 液体质量流量计联动，跟随液体流量同步调节阀门，保障气相浓度稳定。
维护结构优化，喷嘴、腔体拆装便捷，日常清洁、部件更换操作简易。
气化工况波动小，批次薄膜厚度、组分一致性更佳，提升产品良率。
支持常压、减压环境下气相输送，适配不同工艺腔体运行条件。
完整工艺运行台账留存，温度、载气流量原始运行记录可回溯，半导体薄膜产线项目验收可直接调取气化供气管控记录。
半导体薄膜行业：TEOS 氧化膜、硅基介质薄膜 CVD 工艺前驱体稳定气化供给。
新材料镀膜工位：Low-k、High-k 介质薄膜、金属化合物薄膜沉积液态原料气化。
实验室 ALD/CVD 设备：有机金属前驱、水汽等试验物料连续气相供给。
光学涂层企业：各类液态镀膜前驱物料气化，用于光学薄膜制备。
工艺气体研发：各类低蒸气压化学品稳定气化条件摸索与工艺验证。
高校半导体实训实验室，薄膜沉积前驱物料气化工艺教学配套设备。
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