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产品介绍/ PRODUCT PRESENTATION日本lintec 半导体前驱体液相汽化装置
型号:VU‑430
汽化方式:双流体喷嘴雾化,辐射受热汽化
最高使用温度:200℃
最大汽化能力:TEOS 10g/min,水 1.0g/min
载气流量区间:0.05‑4SLM
阀门驱动:电磁驱动常闭阀,阀体靠近汽化腔布置
控温构造:腔体侧面、底部双段独立 PID 控温,配备 2 支 K 型热电偶
过热保护:内置热保护开关,超温自动切断加热
接液材质:SUS316L,Au 金密封,耐腐蚀性良好
耐压规格:1MPa (G),氦检漏指标优异
管路接口:VCR 标准接头,适配半导体工艺管路
机身形式:紧凑型壁挂立式整机
整机重量:2.2kg
供电规格:区分 120V、240V 功率版本
标配配件:VU‑430 主机、热电偶接头、连接线缆、操作说明书
选配配件:配套液体质量流量计、工艺适配密封件、溯源校准证书
双流体喷嘴雾化,液体被打散为微小液滴,汽化充分,减少液滴直接带入后端工艺腔的隐患,气相输出稳定。
控制阀就近布置在汽化腔前端,缩短液体在高温管路当中停留时间,适合容易受热变质分解的前驱物料。
双段独立温控结构,腔体侧面与底部温度分开调节,针对不同化学物料灵活匹配工艺条件。
金密封搭配耐腐蚀接液材质,适配各类有机金属、低蒸气压工艺液体,抗物料腐蚀性能强。
可与对应液体质量流量计联动,接收流量信号实时调节阀门,实现汽化量闭环管控。
整机体积小巧,支持壁挂安装,节省设备安放空间,便于集成接入 CVD、ALD 工艺系统。
完备过热安全防护,热开关触发后切断加热,规避设备超温运行风险,提升工艺安全性。
拆装维护便捷,喷嘴、腔体可拆解清理,降低物料残留带来的交叉污染,适合多配方试样交替试验。
半导体工艺,CVD、ALD 薄膜沉积前驱液体汽化供给。
低 k、高 k 介电材料工艺开发,各类有机金属前驱体汽化处理。
科研实验室,TEOS、水汽等工艺液体汽化试验。
新材料研发,薄膜配方调试,不同前驱物料汽化工艺摸索。
光电行业薄膜制备设备配套,作为工艺气相供给单元。
高校科研院所,半导体材料相关课题汽化工艺实验。
设备集成厂商,小型薄膜沉积系统配套汽化模块。
需要双流体雾化方式完成低蒸气压液体稳定汽化的工艺项目。
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