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描述：日本napson 半导体扩散层电阻率测试仪依托两探针扩展电阻法，专门针对斜角研磨切片样品做纵深方向电阻率连续扫描，解析半导体扩散层、离子注入层、外延层从表层到衬底的电阻变化曲线，换算 PN 结深度、载流子浓度纵向分布、薄膜厚度，是半导体器件研发、晶圆扩散工艺失效分析、化合物半导体材料电性剖析的机型。

产品型号：SRS-2010
厂商性质：代理商
更新时间：2026-06-03
访问量：44

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产品介绍/ PRODUCT PRESENTATION

日本napson 半导体扩散层电阻率测试仪

1、工作测量原理

采用双探针扩展电阻（Spreading Resistance）检测原理：两根超细钨铼探针垂直扎在样品斜研磨抛光面上，微小恒流注入探针，通过采集两点压降换算局部扩展电阻；斜角斜面将样品纵深厚度横向放大数十倍，设备沿斜面横向步进扫描，把横向位移换算成样品实际纵深深度，生成深度 - 电阻率 / 载流子浓度连续剖面曲线，精准标定 PN 结位置、扩散结深、外延膜厚度与掺杂梯度。

2、探针与显微结构配置

1. 双探针独立精密微调支架，探针针尖微米级（亚微米针尖可选），探针压力可控，避免软质外延层压损；2. 搭载高倍金相光学显微镜，实时目视定位探针落点与样品研磨斜面，人工 + 电控微调载台；3. 程控 XY 移动载台，最小步进 0.1μm，沿研磨斜面匀速自动扫测，连续采集上万个点位数据。

3、测量量程参数

扩展电阻量程：1Ω～1×10⁹Ω，跨超高阻 - 超低阻全区间覆盖；
硅片载流子浓度：N 型硅 2×10¹³～5×10¹⁹ cm⁻³；P 型硅 2×10¹⁴～7×10¹⁹ cm⁻³；
施加测试电压：10mV；激励电流跨度：10pA～10mA 多档自动切换，适配高低掺杂物料；
纵深解析精度：微米级，可分辨 0.1μm 级别薄层掺杂变化。

4、适配被测材料与样品规格

被测基材：单晶硅、区熔硅、SiC 碳化硅、GaAs 砷化镓、InP 磷化铟、各类外延片、离子注入晶圆、功率器件芯片切片；样品要求：必须经过斜角研磨 + 镜面抛光处理，常规样品尺寸 5×5mm 以上小片、晶圆切片、器件解剖试样，不适用未研磨整片晶圆。

5、软件数据分析功能

配套原厂专用 PC 分析软件：1. 自动生成纵深深度 - 电阻率曲线、深度 - 载流子浓度剖面图谱；2. 自动拾取 PN 结深度、外延层厚度、峰值掺杂浓度、掺杂均匀区间；3. 数据、曲线、剖面云图一键导出，可存档用于工艺对比、研发报告；4. 内置标准换算模型，硅 / 碳化硅 / 三五族化合物材料参数模板可一键切换。

日本napson 半导体扩散层电阻率测试仪

核心产品特点

1. 独特的双探针扩展电阻法，区别常规四探针表面方阻仪，可测纵向纵深掺杂分布，剖析扩散 / 注入 / 外延内部结构；

2. 超宽电阻跨度，从重掺杂低阻到高阻衬底一站式测量，不用更换硬件；

3. 显微可视化操作，探针落点实时观测，减少误测，微量样品即可完成检测；

4. 全自动连续扫描，单次样品自动完成整条纵深剖面测绘，大幅提升研发效率；

5. 兼容硅基 + 第三代半导体 SiC/GaAs 全品类，功率半导体、光电器件实验室标配设备。

适用行业场景

1. 半导体晶圆厂：扩散工艺、离子注入工艺验证，结深抽检、外延片厚度与掺杂管控；

2. 功率半导体：IGBT、MOSFET、SiC 器件解剖分析，失效剖析、制程改良验证；

3. 科研院所 / 新材料：GaAs、InP 等化合物半导体掺杂特性研发、新型外延工艺测试；

4. 光伏研发：TOPCON/HJT 电池硅片发射极扩散层纵深掺杂分析。

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1、工作测量原理

2、探针与显微结构配置

3、测量量程参数

4、适配被测材料与样品规格

5、软件数据分析功能

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