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日本SANTEC 晶圆厚度分布测绘测量系统

描述：日本SANTEC 晶圆厚度分布测绘测量系统
本设备为日本 SANTEC 圣德科 TMS-2000 OCT 干涉式晶圆厚度分布测绘系统，采用高速可调谐扫频激光干涉检测原理，全程非接触无损测量，重复测量精度可达 1nm，可完整测绘整片晶圆全局、局部、边缘厚度与平整度数据。设备抗温变、抗机械震动硬件架构，普通设备受环境扰动精度漂移的问题得到解决，适配洁净实验室与产线在线检测两种工况。

  • 产品型号：TMS-2000
  • 厂商性质：代理商
  • 更新时间：2026-07-20
  • 访问量：32
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产品介绍/ PRODUCT PRESENTATION

日本SANTEC 晶圆厚度分布测绘测量系统

基础核心参数

  1. 工作原理：高速可调谐激光干涉 OCT 检测，单侧光路采集晶圆上下表面反射干涉信号，换算点位厚度数值；设备搭载电控位移台实现螺旋 / 网格全域扫描，自动输出 SEMI 标准平整度指标，全程记录坐标、厚度、平整度时序云图数据，用于研磨抛光工艺整改与批量晶圆品质归档复盘。

  2. 完整型号区分

    • TMS-2000 标准台式款：2-12 英寸晶圆通用，实验室离线抽检专用

    • TMS-2000-IN 产线集成款：适配 EFEM 晶圆传输机台，全自动在线批量检测

  3. 测量适配晶圆尺寸：2 英寸～12 英寸圆形 / 方形衬底

  4. 厚度测量区间：15～1400μm

  5. 厚度重复精度：≤1nm

  6. 最小采样步距：30μm 高密度扫描

  7. 单片测量时长：30～120 秒（随扫描密度可调）

  8. 支持检测材料：普通硅、重掺硅、SiC、GaN、SOI、薄膜多层衬底

  9. 输出标准参数：TTV、BOW、WARP、TIR、STIR，符合 SEMI 国际规范

  10. 扫描模式：螺旋高速扫描、网格均匀扫描、局部定点扫描三种

  11. 数据存储：本地存储上万组晶圆测绘文件，配套 PC 分析软件批量导出云图报表

  12. 通讯拓展：USB、网口对接工厂 MES 系统，支持自动上传检测数据

  13. 整机尺寸重量：565×710×710mm，整机约 69kg 台式密闭防护机身

  14. 供电规格：AC100~240V 宽幅市电，50/60Hz

  15. 使用环境：20±5℃恒温洁净间，湿度 40%~70% 无凝露，半导体无尘车间工况

日本SANTEC 晶圆厚度分布测绘测量系统

核心功能特点

  1. 1nm 亚纳米级重复测量精度，精准捕捉微米级厚度偏差，匹配优良制程晶圆严苛公差管控

  2. 抗温变抗震动架构，产线振动、温度波动环境下数据稳定，无需严苛恒温防震隔间

  3. 单侧非接触光路，无需翻面夹持，超薄易碎 SiC/GaN 功率晶圆无划伤、无破损风险

  4. 全品类晶圆兼容，单台覆盖硅、碳化硅、氮化镓、多层 SOI 衬底，不用多台设备分测

  5. 多模式自定义扫描，整片快速普查、边缘重点高密度检测、局部工艺点位定点分析自由切换

  6. 内置 SEMI 全套平整度算法，自动计算行业通用指标，云图可视化直观定位厚薄异常区域

  7. 完整审计追踪数据，每张晶圆厚度云图、原始点位数据自动存档，审厂报告一键生成

  8. 紧凑型密闭无尘机身，内部腔体易擦拭清洁，适配百级千级半导体洁净车间长期运行

适用场景

  1. 功率半导体行业：SiC、GaN 碳化镓晶圆研磨、背面减薄、抛光工序厚度均匀度检测

  2. 集成电路制造：单晶硅衬底、重掺杂硅片整片 TTV、翘曲度量产在线抽检

  3. 复合衬底研发：SOI 多层结构、薄膜外延片厚度分布、界面平整度对比实验

  4. 晶圆加工制程：切片、抛光、背面研磨工艺优化，定位局部厚薄异常调整设备参数

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