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产品介绍/ PRODUCT PRESENTATION日本santec 半导体晶圆厚度分布测量仪
兼容晶圆尺寸：4‑12 英寸
测量厚度范围：15‑1400μm
显示分辨率：0.1nm
重复测量精度：典型≤1nm
测量光斑尺寸：30μm
扫描方式：螺旋扫描、线扫描可切换
单晶圆测量耗时：0.5‑2min / 片
测量参数：全局平坦度 GBIR、GFLD、GFLR；点位平坦度 SBIR、SFQD、SFQR；边缘平坦度 ESFQR，支持晶圆差分对比分析
测量方式：单面红外非接触扫描
适配基材：P 型硅、碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN)、玻璃、铌酸锂 (LiNbO₃)、SOI 晶圆
整机外形尺寸：770mm (D)×560mm (W)×625mm (H)
整机重量：75kg
输出格式：通用格式数据导出，厚度云图、形貌图谱输出
采用单面一体化照明探测光路，不需要晶圆正反面同时打光，无需翻面即可完成整片晶圆检测，简化样品装夹流程。
干涉探测技术实现亚纳米级重复测量精度，可捕捉晶圆纳米级厚度波动，适配优良半导体制程严苛检测要求。
硬件光路具备抗温漂、抗振动能力，普通生产车间环境也可稳定测量，降低配套恒温防震平台的基建投入。
螺旋高速全域扫描模式，采样密度高，完整覆盖晶圆整片区域，有效规避局部测量盲区，也可切换线扫描模式适配不同需求。
内置偏振补偿算法，针对碳化硅、氮化镓、铌酸锂这类低反射、双折射特性材料，保障测量信号信噪比稳定。
支持 SOI 等多层复合结构晶圆检测，可解析多层结构厚度分布，适配功率半导体、MEMS 器件相关基材检测。
测量参数遵循 SEMI 国际标准，输出全局、点位、边缘全套平坦度指标，支持 Zernike 多项式做残差与微缺陷解析。
软件支持多片晶圆之间差分对比分析，方便监控研磨、抛光等工艺批次之间的一致性差异。
整机紧凑型一体化结构，可布置在实验室台面，也可部署产线抽检工位，设备搬运摆放灵活。
全程非接触无损检测，不会对超薄、脆性晶圆造成划伤、应力损伤，保护样品完好。
硅基半导体制造，P 型硅晶圆研磨、抛光、背面减薄工艺环节的厚度、平坦度全域检测。
第三代半导体行业，碳化硅、氮化镓功率晶圆的厚度分布、翘曲、平坦度品质评价。
光通信器件研发生产，铌酸锂晶圆的厚度与晶圆形貌检测，支撑光芯片工艺品质管控。
SOI 多层复合晶圆检测，完成多层结构厚度测绘，监控键合、研磨工艺带来的厚度偏差。
玻璃晶圆各类工艺评估，对脆性透明基材做非接触式厚度、翘曲度检测。
半导体实验室研发，新材料、新工艺样品的晶圆形貌、厚度分布实验表征。
产线制程抽检，在线监控研磨、抛光、外延等工序，及时发现工艺偏移，稳定批次良率。
来料检验与出货检测，对晶圆来料做全片参数检测，输出标准化检测报告用于品质判定。
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