描述：日本orc 半导体光刻机/搭载可变NA功能日本 ORC PPS-8200/8300 为等倍 Dyson 光学系统半导体光刻机，搭载可变 NA 功能，可切换 0.10、0.16 数值孔径。支持 6/8/12 英寸晶圆，兼容 ghi、gh、i 线波段，曝光区域 52mm×33mm。可处理薄晶圆、翘曲晶圆，自带光学防污染保护单元。套刻精度≤0.5μm，适用于 MEMS、IGBT、2.5D/3D 封装

产品型号：PPS-8200/8300
厂商性质：代理商
更新时间：2026-10-09
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产品介绍/ PRODUCT PRESENTATION

日本orc 半导体光刻机/搭载可变NA功能日本orc 半导体光刻机/搭载可变NA功能

产品介绍

产品细节图整机为大型一体化设备，分为光学主机、晶圆载台、掩膜台、光源单元、电控机柜几大部分。正面设有晶圆上料口、人机交互操作面板，光学腔体配置密封防护结构，可抵御光刻胶挥发物污染镜片。载台机构集成精密位移与对位检测组件，可适配薄晶圆、TAIKO 晶圆、形变翘曲晶圆。设备体积较大，配套独立洁净车间安装，实拍素材包含整机外观、光学腔体、晶圆载台、操作界面。

产品性能采用 1:1 等倍 Dyson 光学系统，核心亮点为可变 NA 结构，可在 0.10 与 0.16 之间切换，兼顾景深与分辨率。曝光波段可跟随工艺配方自动切换 ghi-line、gh-line、i-line。在 2μm 厚度光刻胶条件下，分辨率可达 2μm 线宽线距。曝光均匀度≤3%，套刻精度≤0.5μm，焦深≥10μm。内置光学防析出保护单元，隔绝光刻胶挥发气体污染光学镜片，延长光学组件寿命。支持最多 8 个视场的掩膜版设计，提升单次曝光产能，可对接产线 GEM 通讯协议，支持在线集成方案。

用材整机主体机架采用厚钢板焊接加工，刚性强，抑制震动，保障对位稳定性。光学镜头使用低膨胀光学玻璃，镀膜工艺精密，抗紫外老化。载台运动部件采用高强度合金，经过精密研磨，长期运行位移稳定。腔体密封件选用耐 UV、耐化学析出特种橡胶，防止气体渗入。电控机柜采用冷轧钢板喷涂，内部线缆做屏蔽处理，降低电磁干扰。晶圆接触组件选用防静电特种材料，避免静电损伤晶圆。

参数表

表格

项目	参数
型号	PPS-8200 / PPS-8300
品牌	ORC（日本）
光学系统	1:1 等倍 Dyson 光学系统
NA 数值孔径	0.10、0.16 可变
支持晶圆尺寸	6、8、12 英寸
曝光波长	ghi-line / gh-line / i-line
曝光视场	52mm × 33mm
分辨率	2.0μm L/S（光刻胶厚度 2μm）
套刻精度	≤0.5μm（	Ave	+3σ）
掩膜尺寸	6 英寸
整机外形尺寸	W2260×D3460×H2500mm
整机重量	5500kg
可选配件	背面对位系统、薄晶圆传输系统、GEM 通讯模块

型号PPS-8200/8300 属于 ORC 半导体封装曝光设备，两款硬件主体一致，主要差异在自动化选配模块。PPS-8200 偏向基础工艺；PPS-8300 可搭载更多自动化功能，适配大批量产线。支持多种选配单元，可根据客户工艺需求增减背面对位、晶圆边缘曝光、在线对接模块。

用途用于半导体*封装与微器件光刻工艺。适用场景：MEMS 器件、IGBT 功率器件、CIS 图像传感器、WL-CSP、FO-WLP、凸点工艺、2.5D/3D 封装、Interposer 中间层制备。设备完成掩膜图形转移至晶圆光刻胶层，实现微细线路图形制备，可处理常规晶圆、超薄晶圆与翘曲晶圆。

包装设备为大型工业设备，采用分体拆解包装，主机、光学单元、电控柜、载台分开木箱封装，内部定制防震缓冲材料。所有光学镜片单独密封包装，防止运输粉尘与震动损伤。包装箱附带吊装点位标识，配套出厂检验报告、光学检测记录、操作手册。掩膜版、耗材不属于标配，需单独采购。

使用说明设备必须安装在洁净车间，满足温湿度、防震、洁净等级要求。吊装就位，完成水平校准，连接水冷、供电、压缩空气、通讯线路。导入工艺配方，设置曝光波长、NA 数值、曝光剂量，载入掩膜版与晶圆。设备自动完成对位、曝光、晶圆下料。定期检查光学腔体，维护防析出保护单元；定期校准载台对位精度。禁止在非洁净环境开启光学腔体，避免镜片污染。

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