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产品介绍/ PRODUCT PRESENTATION日本santec 半导体晶圆平坦度检测仪
核心参数
产品型号：TMS‑2000
测量原理：激光外差干涉，单面红外入射测量
适配晶圆尺寸：4‑12 英寸
厚度测量范围：15‑1400μm
厚度显示分辨率：0.1nm
重复测量精度：≤1nm
测量光斑：30μm
扫描模式：螺旋全域扫描，支持自定义扫描路径
单晶圆检测耗时：0.5‑2 分钟
输出参数：GBIR、GFLR、SBIR、SFQR、ESFQR，符合 SEMI 标准
整机尺寸：770mm (D)×560mm (W)×625mm (H)
整机重量：75kg
供电：AC 交流供电
工作环境：18‑28℃，湿度 20‑70% RH 无冷凝
日本santec 半导体晶圆平坦度检测仪
功能特点
亚纳米级重复测量精度，获取晶圆全域厚度分布，量化全局、局部、边缘平坦度指标。
优秀抗温漂、抗振动性能，普通车间环境也可稳定测量，降低配套基建投入。
单面照明光路，只从晶圆上侧入射，无需晶圆背面光学通路，适配粗研磨未抛光晶圆。
螺旋高速扫描模式，整片晶圆快速测绘，也支持局部选区扫描，灵活切换检测方案。
兼容多种难测基材，重掺杂硅、SiC、GaN、铌酸锂、SOI 多层晶圆均可稳定测量。
软件自动生成厚度分布云图、统计直方图，支持晶圆与晶圆之间差分对比分析。
Zernike 多项式残差分析，解析晶圆翘曲、凹陷、局部形变，用于工艺不良溯源。
测量指标符合 SEMI 半导体行业标准，检测数据支持通用格式导出，对接品质报表。
台式紧凑一体化结构，可放置实验室台面，也可布置于产线工位做离线抽检。
适用场景
硅半导体，4‑12 英寸硅片、重掺杂晶圆、SOI 外延片厚度和平坦度检测。
功率半导体，SiC 碳化硅、GaN 氮化镓衬底与外延片全域厚度分布测绘。
光电子材料，铌酸锂、蓝宝石、光学玻璃衬底厚度均匀性检测。
晶圆制造工序，研磨、抛光、减薄工艺效果评估，工艺参数优化。
半导体研发实验室，新材料晶圆样品面型、厚度分布实验测试。
来料与成品质检，整片晶圆厚度不良、翘曲缺陷筛查分选。
工艺监控，多批次晶圆数据对比，跟踪设备工艺漂移变化。
高校科研院所，第三代半导体相关样品测试研究。
半导体零部件，薄片、多层复合衬底非接触无损测量。
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